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Mosfet IRF540 canal N
MOS0735
Nuevo producto
Los Mosfet IRF540 son silicio en modo de mejora de canal N transistores de efecto de campo de potencia de puerta.
10 artículos
Más
- Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 72 nC
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.077 Ohm
- Encapsulado: TO-220
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